В Первом электротехническом состоялась торжественная церемония открытия бюста знаменитого выпускника факультета электронной техники ЛЭТИ, Почетного доктора университета, всемирно известного ученого, лауреата Нобелевской премии по физике Жореса Ивановича Алферова.

22 октября 2026 года в Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете «ЛЭТИ» состоялось торжественное открытие бюста Жореса Ивановича Алферова. Событие прошло в рамках праздничных мероприятий, посвященных 140-летию основания университета.

В церемонии открытия памятного бюста приняли участие ректор СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Виктор Николаевич Шелудько; вице-президент РАН, академик, ректор Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого Андрей Иванович Рудской; заместитель Председателя Комитета по науке и высшей школе Правительства Санкт-Петербурга Владимир Тарасович Гайдей; ректоры петербургских вузов, преподаватели, сотрудники и студенты ЛЭТИ.

Торжественную церемонию открыл ректор СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Виктор Николаевич Шелудько. Он отметил неоценимый вклад Жореса Ивановича Алферова в развитие науки и образования.

«В этот юбилейный год мы обращаемся к нашим выдающимся выпускникам. Многим из присутствующих довелось общаться с Жоресом Ивановичем, слушать его лекции. Он никогда не терял связь с родным университетом. Много сделал для науки и образования работая в ЛЭТИ, и когда работал в Политехническом университете, в Физтехе, и когда создавал Академический университет. Жорес Иванович – человек уникальной судьбы, человек-эпоха. Уверен, что масштаб его личности будет с каждым годом возрастать».  – Ректор СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Виктор Николаевич Шелудько

Вице-президент РАН, председатель Санкт-Петербургского отделения РАН, ректор Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого, академик Андрей Иванович Рудской в своем выступлении подчеркнул масштаб достижений ученого и его роль в развитии научной инфраструктуры города.

«Алферов – великий основатель полупроводниковых гетероструктур. Он всегда был принципиален, до конца жизни оставался верен своим идеалам. Жорес Иванович навсегда останется у нас в памяти светлым человеком, у которого мы должны учиться, которому должны подражать. Слава великим гениям России». – Вице-президент РАН, председатель Санкт-Петербургского отделения РАН, ректор Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого, академик Андрей Иванович Рудской

Заместитель Председателя Комитета по науке и высшей школе Правительства Санкт-Петербурга Владимир Тарасович Гайдей напомнил о вкладе ученого в развитие системы поддержки молодых исследователей.

«Наверное, все ещё со школьной скамьи знают и помнят это имя. Величие Жореса Ивановича не только в тех научных достижениях мирового уровня, которые он совершил, но также и в общественно-политической жизни. Низкий поклон ему за то, что он отстаивал свои позиции в науке и образовании.

Сегодня Алферовский фонд продолжает поддержку молодых ученых. Замечательно, что мы в Петербурге так трепетно относимся к наследию Алферова, сохраняя память о нем. Правительством нашей страны учреждены персональные стипендии имени Жореса Ивановича Алферова для молодых ученых в области физики и нанотехнологий». – Заместитель Председателя Комитета по науке и высшей школе Правительства Санкт-Петербурга Владимир Тарасович Гайдей

Ректор Санкт-Петербургского национального исследовательского Академического университета имени Ж.И. Алферова Александр Рудольфович Наумов в своем обращении подчеркнул роль ученого в разработке современных технологий и развитии системы подготовки научных кадров.

«Первое деяние Жореса Ивановича, за которое мы прежде всего ему благодарны – это его научная работа в области физики гетероструктур, – создание полупроводникового лазера, работающего при комнатной температуре. То, без чего невозможно представить интернет, высокоскоростные оптические линии связи.

Второе великое деяние, которое Жорес Иванович нам оставил – это созданная им научно-педагогическая школа. И когда мы говорим, что вершиной созданной Алферовым системы подготовки научных кадров является Академический университет, всегда нужно помнить, что все начиналось с базовой кафедры в ЛЭТИ». – Ректор Санкт-Петербургского национального исследовательского Академического университета имени Ж.И. Алферова Александр Рудольфович Наумов

Директор Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе, член-корреспондент РАН Сергей Викторович Иванов рассказал о том, что великий ученый на протяжении всей жизни сохранял связь с ЛЭТИ.

«Когда в 1972 году Жорес Иванович с коллегами получил Ленинскую премию за открытие гетеролазера, он уже тогда понимал перспективы этого открытия для развития полупроводниковой оптоэлектроники. Через год в ЛЭТИ была создана первая базовая кафедра оптоэлектроники при Физтехе. Кафедра выпустила уже порядка шестисот выпускников, среди которых кандидаты, доктора наук, члены-корреспонденты РАН. Многие из них сейчас руководят деятельностью института. Я сам – выпускник ее седьмого набора. И в сердце своем мы всегда остаемся лэтишниками». – Директор Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе, член-корреспондент РАН Сергей Викторович Иванов

Автор бюста, петербургский скульптор Владислав Александрович Маначинский в своем выступлении выразил слова благодарности за возможность быть причастным к увековечиванию памяти о выдающемся ученом, пожелав нынешним студентам и молодым исследователям упорства и достижения новых открытий. Владислав Александрович был награжден благодарностью ректора СПбГЭТУ «ЛЭТИ».

Торжественная церемония завершилась возложением цветов к бюсту академика Ж.И. Алферова.