В Первом электротехническом состоялась торжественная церемония открытия бюста знаменитого выпускника факультета электронной техники ЛЭТИ, Почетного доктора университета, всемирно известного ученого, лауреата Нобелевской премии по физике Жореса Ивановича Алферова.

22 октября 2026 года в Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете «ЛЭТИ» состоялось торжественное открытие бюста Жореса Ивановича Алферова. Событие прошло в рамках праздничных мероприятий, посвященных 140-летию основания университета.

Торжественную церемонию открыл ректор СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Виктор Николаевич Шелудько. Он отметил неоценимый вклад Жореса Ивановича Алферова в развитие науки и образования.

Первое за что сегодня благодарны Жоресу Ивановичу – это его научная работа в области физики гетероструктур, – создание полупроводникового лазера, работающего при комнатной температуре. То, без чего невозможно представить интернет, высокоскоростные оптические линии связи.

Второе — это, что Жорес Иванович создал научно-педагогическую школа.

Автор бюста, петербургский скульптор Владислав Александрович Маначинский выразил слова благодарности за возможность быть причастным к увековечиванию памяти о выдающемся ученом, пожелав нынешним студентам и молодым исследователям упорства и достижения новых открытий.

Торжественная церемония завершилась возложением цветов к бюсту академика Ж.И. Алферова.

Жорес Иванович Алферов (1930-2019), выдающийся советский и российский физик, лауреат Нобелевской премии по физике (за разработку полупроводниковых гетероструктур, 2000 г.) отвечая на вопрос о любимом парке, сказал, что любит два старинных петербургских сада: Летний сад и Ботанический сад. Благотворительная акция «Древо жизни» Михайловский сад/ 4 октября 2014 года Санкт-Петербург/Фото репортаж Елены Флеровой / К

Академик, вице-президент Российской Академии Наук (РАН), лауреат Нобелевской премии по физике 2000 года, ректор Академического университета РАН, Почетный доктор СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Жорес Иванович Алферов родился в 1930 году в городе Витебске Белорусской ССР. В годы Великой Отечественной войны он вместе с семьей переехал в Туринск (Свердловская область), где отец работал директором целлюлозно-бумажного завода. После войны Алферовы вернулись в разрушенный войной Минск, где Жорес окончил с золотой медалью среднюю школу № 42.

В 1948 году Жорес Алферов переехал в Ленинград и поступил на факультет электронной техники ЛЭТИ. В 1952 году окончил вуз с отличием по специальности «Электровакуумная техника». .

После окончания ЛЭТИ Жорес Алферов был распределен на работу в Ленинградский физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, где при его участии были разработаны первые отечественные транзисторы и силовые германивые приборы.

Благодаря фундаментальным работам Ж.И. Алферова были созданы светодиоды на гетероструктурах, которые позволяют существенно сэкономить электроэнергию. Группой ученых под руководством Алферова был создан первый в мире лазер на квантовых точках, превосходящий сегодня по характеристикам все типы полупроводниковых лазеров.

Своими открытиями Алферов заложил основы современной информационной техники. Созданные на базе исследований Алферова приборы и устройства – это лазеры, передающие информационные потоки посредством оптоволоконных сетей Интернета, технологии, лежащие в основе мобильных телефонов, устройства, декодирующие товарные ярлыки, запись и воспроизведение информации и многое другое.

В 2000 году Жоресу Ивановичу Алферову была присуждена Нобелевская премия по физике за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники.

Елена Флерова